传三星将采用长江存储专利混合键合技术

上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。

据TrendForce报道，三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。

大概在四年前，长江存储率先将名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存，随后逐步建立了强大的专利组合。三星在之前的NAND闪存里采用了COP（Cell-on-Periphery）结构，将外围电路放在一块晶圆上，然后单元堆叠在上面，不过当层数超过400层时，下层外围电路的压力会影响可靠性。改用混合键合技术后，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。

据了解，目前Xperi、长江存储、以及台积电（TSMC）拥有大多数混合键合技术的专利。三星之所以选择与长江存储合作，很大程度上是因为接下来的第11代和第12代V-NAND闪存都很难绕过后者的专利。

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